В двумерном полупроводнике вырастили нанопровод толщиной в три атома

Международная группа ученых под руководством профессора НИТУ «МИСиС» Готтарда Сейферта решила проблему, которая почти полвека мешала использовать один из перспективнейших двумерных материалов в микроэлектронике.

Последние заключаются в отсутствии или наличии случайного лишнего атома серы или молибдена в кристаллической решетке, поэтому образцы из этого материала каждый раз получаются с разными параметрами.

Подробнее: РИА Новости

Преодолен ключевой барьер для использования двумерных материалов в электронной промышленности

Международная группа ученых под руководством одного из ведущих специалистов в области двумерных материалов – профессора НИТУ «МИСиС» и Технологического университета Дрездена Готтарда Сейферта решила проблему, которая почти полвека мешала использовать двумерные материалы в микроэлектронике.

Прорывная работа международной группы ученых из Германии и США под руководством одного из ведущих специалистов в области двумерных материалов – профессора НИТУ «МИСиС» и Технологического университета Дрездена Готтарда Сейферта — открывает большие возможности для практического применения двумерных материалов в современной микроэлектронике», – отметила ректор НИТУ «МИСиС» Алевтина Черникова.

Подробнее: Planet Today

В двумерном полупроводнике вырастили нанопровод толщиной в три атома

Толщина такого канала составила от 3 до 5 атомов, а для его создания использовались дислокации на границе гетерогенного двумерного кристалла, говорится в статье, опубликованной в Nature Materials. Благодаря своим необычным физическим свойствам двумерные кристаллы считаются крайне перспективными материалами, в частности, для создания электронных устройств следующего поколения.

Подробнее: N+1